View/Open

Author
Naufal, Dzaki

Advisor
Vera Khoirunisa, S.Si., M.T.,
Febdian Rusydi, S.T., M.Sc., Ph.D.,

Koleksi
Teknik Fisika

Publisher

Density Functional Theory (DFT) memungkinkan studi reaktivitas permukaan material secara efisien, terutama pada proses Atomic Layer Deposition (ALD). Reaktivitas permukaan dipengaruhi oleh interaksi elektron dengan molekul reaktan, di mana gugus hidroksil (-OH) menciptakan situs aktif untuk meningkatkan efisiensi reaksi ALD. Tugas akhir ini bertujuan untuk mengevaluasi gugus hidroksil untuk reaksi deposisi ZnO pada permukaan silikon dalam proses ALD menggunakan kalkulasi DFT. Untuk itu, tugas akhir ini menggunakan dua pendekatan DFT: sistem periodik dengan Quantum ESPRESSO (slab supercell 2x2) dan sistem kluster dengan Gaussian 16 (kluster Si9-O2-H14), dengan dietylzinc (DEZ) sebagai prekursor. Hasil energi adsorpsi menunjukkan perbedaan signifikan antara kedua pendekatan. Sistem periodik menghasilkan nilai positif +1,48 eV untuk Si(100)-OH, mengindikasikan DEZ tidak teradsorpsi pada permukaan, sedangkan sistem kluster menghasilkan nilai negatif -0,43 eV, menunjukkan chemisorption. Berdasarkan hasil pemodelan dengan pendekatan sistem kluster, tugas akhir ini menyimpulkan bahwa gugus hidroksil DEZ pada permukaan Si(100) memiliki peran dalam menurunkan penghalang energi yaitu 0.61 eV dari adsorpsi DEZ dalam siklus ALD, memberikan wawasan krusial untuk optimasi ALD ZnO dengan fungsionalisasi permukaan hidroksil

URI
https://repo.itera.ac.id/depan/submission/SB2506150009

Keyword
Atomic Layer Deposition DEZ DFT Hidroksil Silikon