PENGARUH KONSENTRASI MOLAR PREKURSOR AWAL TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK LAPISAN TIPIS ZnO DAN ZnO:Al UNTUK OPTIMASI PERANGKAT OPTOELEKTRONIKA
ZnO merupakan material dengan karakteristik optik dan listrik yang menarik, tidak beracun, dan memiliki energi ikat eksiton sekitar 60 meV sehingga ideal jika diaplikasikan sebagai perangkat optoelektronika. Pemberian doping Aluminium (Al) dapat meningkatkan sifat optik dan listrik dari ZnO. Pada penelitian ini dilakukan fabrikasi lapisan tipis ZnO dan ZnO:Al yang bertujuan untuk mengetahui pengaruh konsentrasi molar prekursor awal terhadap sifat optik dan listrik lapisan tipis. Lapisan tipis ZnO dan ZnO:Al dideposisikan ke atas substrat kaca menggunakan metode sol gel-spin coating dengan menggunakan variasi molar 0.1, 0.3, dan 0.5 M. Lapisan tipis kemudian dikarakterisasi menggunakan scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM-EDS), X-ray diffraction (XRD), I-V meter, dan spektrofotometer UV-Vis Jenway 6850. Peningkatan konsentrasi ZnO dan ZnO:Al pada penelitian ini menyebabkan penurunan ukuran kristal dan menunjukan sampel film yang masih amorf. Morfologi film menunjukan pemerataan distribusi granular seiring peningkatan konsentrasi. Sifat optik menunjukan bahwa lapisan tipis ZnO dan ZnO:Al memiliki serapan di wilayah sinar UV sekitar ~370 nm. Sifat listrik lapisan tipis ZnO dan ZnO:Al menunjukan hasil yang fluktuatif. Berdasarkan sifat optik, lapisan tipis ZnO dan ZnO:Al sangat ideal diaplikasikan sebagai perangkat optoelektronika seperti fotokatalisis, fotodetektor UV, dan solar sel karena berada pada kinerja sinar UV.
URI
https://repo.itera.ac.id/depan/submission/SB2301130027
Keyword