View/Open

Author
Salsabila Regina, Mayanti

Advisor
Dr. Eng. Lukman Nulhakim, S.Si., M.T.
Dr. Eka Nurfani, S.Si., M.Si.

Koleksi
Teknik Fisika

Publisher

Penelitian ini bertujuan untuk menganalisis pengaruh penambahan doping Al dengan variasi konsentrasi 0 at%, 1 at%, 2 at%, dan 3 at% terhadap sifat optik, listrik, dan performansinya sebagai komponen semikonduktor pada Dye Synthesized Solar Cell (DSSC). Sintesis lapisan tipis ZnO:Al berstruktur nano sebagai semikonduktor pada Dye Synthesized Solar Cell telah dilakukan di atas seed layer ZnO. Seed layer ZnO ditumbuhkan dengan metode spray pyrolysis selama 10 menit dengan suhu 400℃. Selanjutnya, lapisan ZnO:Al ditumbuhkan dengan metode chemical bath deposition (CBD) dengan suhu 90℃ selama 6 jam. Kemudian, sampel dikarakterisasi menggunakan Uv-Vis Spectrophotometer untuk memperoleh sifat optik, X-Ray Diffraction (XRD) untuk memahami sifat struktur dan Hall System Measurement untuk memperoleh sifat listrik lapisan tipis. Nilai optical band gap energy yang dihasilkan sebesar 3.12 – 3.28 eV menggunakan metode Tauc Plot dan 3.32 – 3.36 eV menggunakan metode 1 st Derivative. Nilai transmitansi tertinggi 43.9% diperoleh pada konsentrasi doping 3 at%. Dari efek hall, nilai carrier concentration [(0.001 × 1012 cm3 ) – (2.196 × 1012 cm-3 )] dan conductivity [(1.26 × 10-3 /Ω.cm) – (3 × 10-3 /Ω.cm)] meningkat, sedangkan nilai hall mobility (4.83 cm2 /V.s – 2.7 cm2 /V.s) dan resistivity [(5.17 × 10-3 /Ω.cm) – (1.96 × 10-3 /Ω.cm)] menurun seiring dengan penambahan konsentrasi doping. Nilai efisiensi yang dihasilkan meningkat bersamaan dengan persamaan doping, berturut-turut bernilai (2.16 × 10-5%), (2.26 × 10-5%), (2.85 × 10- 5%), (0.0487%). Kata kunci: Chemical Bath Deposition (CDB), lapisan tipis ZnO:Al, karakteristik, efisiensi DSSC

URI
https://repo.itera.ac.id/depan/submission/SB2301130015

Keyword