View/Open

Author
Agus, Santoso

Advisor
Okky Fajar Tri Maryana, S.Si., M.Si.

Koleksi
Fisika

Publisher

Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh doping Al terhadap ZnO dengan variasi konsentrasi molaritas 0,1 M, 0,3 M dan 0,5 M untuk meningkatkan efisiensi lapisan tipis. Lapisan tipis ZnO:Al ditumbuhkan di atas substrat ITO dengan menggunakan metode sol-gel spin coating. Hasil karakterisasi X-Ray Fluoresence (XRF) pada lapisan Zn doping Al berhasil dilakukan hal ini terlihat dari elemen Zn dan Al yang terdeteksi. Pengujian sifat optik dari ZnO:Al secara umum menunjukan bahwa mengalami penyerapan pada saat lapisan tipis ZnO:Al dikenai spektrum cahaya tampak pada panjang gelombang 370-415 nm dengan energi celah pita (Eg) berturut-turut yaitu 3,22 eV, 3,19 eV, 3,17 eV dan 3,14 eV untuk sampel ZnO, ZnO:Al 0,1 M, ZnO:Al 0,3 M dan ZnO:Al 0,5 M. Selanjutnya lapisan tipis diukur dengan menggunakan multimeter digital untuk melihat sifat listrik berupa efisiensi dari sampel. Efisiensi tertinggi diperoleh pada lapisan ZnO yang didoping Alumunium dengan konsentrasi molaritas 0,5 M yaitu sebesar 0,814% sedangkan nilai terendah pada lapisan ZnO tanpa doping yaitu 0,566%. Hal ini menunjukkan bahwa besarnya nilai efisiensi pada lapisan tipis ZnO terjadi peningkatan seiring dengan bertambahnya doping Al dan konsentrasi molaritas larutan dengan peningkatan efisiensi sebesar 143,81% dibandingkan lapisan ZnO tanpa doping.

URI
https://repo.itera.ac.id/depan/submission/SB2112170002

Keyword